參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD122I
Product Folder - Fairchild P/N MJD122 - NPN Silicon Darlington Transistor
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MJD122
NPN Silicon Darlington Transistor
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Contents
Features
D-PAK for Surface Mount Applications
q
High DC Current Gain
q
Built-in a Damper Diode at E-C
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular TIP122
q
Complement to MJD127
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Datasheet
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD122TF
Full Production
$0.336
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD122.html [Jul-26-2002 3:12:14 PM]
GO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127-1 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD127-I 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD148-1 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD122T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
MJD122T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
MJD122TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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