參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD122I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD122
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.1
1
10
100
1k
10k
VCE = 4V
h
FE
,DC
CU
RRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC = 250 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V]
,SA
TURATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
ob
[p
F
],
CAPACI
T
A
N
CE
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCC= 30V
IC=250IB
IB1=IB2
tD, VBE(off)=0
tR
t R
,t
D
[
s
],
TU
R
N
ON
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
VCC=30V
IC=250IB
tF
tSTG
t ST
G
,t
F[
s
],
TU
R
N
O
FF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
500
s
5m
s
100
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
L
E
CT
O
R
CURR
E
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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