參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD122I
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD122
Dimensions in Millimeters
6.60
±0.20
2.30
±0.10
0.50
±0.10
5.34
±0.30
0.70
±0.20
0.60
±0.20
0.80
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
MIN0.55
0.76
±0.10
0.50
±0.10
1.02
±0.20
2.30
±0.20
6.60
±0.20
0.76
±0.10
(5.34)
(1.50)
(2XR0.25)
(5.04)
0.89
±0.10
(0.10)
(3.05)
(1.00)
(0.90)
(0.70)
0.91
±0.10
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
D-PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MJD127-I 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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