參數(shù)資料
型號： MJD122I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD122I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD122
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127-1 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD127-I 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13005-1 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251
MJD148-1 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD5731-1 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
MJD122T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
MJD122TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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