參數(shù)資料
型號： MIXA60W1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK, E2-PACK-28
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 174K
代理商： MIXA60W1200TED
2010 IXYS All rights reserved
6 - 6
20100622c
MIXA60W1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
600
700
800
900
1000 1100 1200 1300
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
20
40
60
80
100
120
E
rec
[mJ]
I
C
[A]
V
F [V]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
30 A
60 A
120 A
Fig. 7 Typ. Forward current versus V
F
Fig. 8 Typ. recovery energy E
rec versu versus di/dt
Fig. 9 Typ. NTC resistance versus temperature
25
50
75
100
125
150
100
1000
10000
100000
R
[Ω]
T
C [°C]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Fig. 10 Typ. transient thermal impedance
IGBT
Diode
NTC
IGBT
FRD
R
i
t
i
R
i
t
i
1
0.1
0.0025
0.137
0.0025
2
0.05
0.03
0.1
0.03
3
0.21
0.03
0.233
0.03
4
0.07
0.08
0.13
0.08
InverterD1-D6
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PDF描述
MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
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參數(shù)描述
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MIXA80R1200VA 功能描述:IGBT 模塊 Boost/Brake Module XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA80W1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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