參數(shù)資料
型號： MIXA60W1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK, E2-PACK-28
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 174K
代理商： MIXA60W1200TED
2010 IXYS All rights reserved
5 - 6
20100622c
MIXA60W1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
0
1
2
3
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80
100
V
CE [V]
I
C
[A]
Q
G [nC]
V
GE
[V]
9 V
11 V
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
20
40
60
80
100
0
40
80
120
160
200
240
0
5
10
15
20
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
13 V
12
16
20
24
28
32
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
E
[mJ]
E
off
T
VJ = 125°C
Fig. 1 Typ. output characteristics
VGE = 15 V
V
CE [V]
I
C
[A]
VGE = 15 V
17 V
19 V
Fig. 2 Typ. output characteristics
I
C
[A]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
V
GE [V]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
E
on
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
R
G [Ω ]
E
[mJ]
I
C [A]
E
on
E
off
R
G =
15 W
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C =
50 A
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C
= 50 A
V
CE = 600 V
InverterT1-T6
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA60WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA60WH1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA61H1200ED 功能描述:IGBT 模塊 IGBT XPT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA80R1200VA 功能描述:IGBT 模塊 Boost/Brake Module XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA80W1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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