參數(shù)資料
型號： MIXA60W1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK, E2-PACK-28
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： MIXA60W1200TED
2010 IXYS All rights reserved
3 - 6
20100622c
MIXA60W1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
TemperatureSensorNTC
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
R
25
B
25/50
resistance
T
C =
25°C
4.75
5.0
3375
5.25
k
W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
T
VJ
T
VJM
T
stg
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
-40
125
150
125
°C
V
ISOL
isolation voltage
I
ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
3000
V~
CTI
comparative tracking index
-
M
d
mounting torque (M5)
3
6
Nm
d
S
d
A
creep distance on surface
strike distance through air
6
mm
R
pin-chip
resistance pin to chip
5
mW
R
thCH
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
K/W
Weight
180
g
EquivalentCircuitsforSimulation
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
V
0
R
0
IGBT
T1 - T6
T
VJ = 150°C
1.1
25.1
V
m
W
V
0
R
0
free wheeling diode
D1 - D6
T
VJ = 150°C
1.22
12.99
V
m
W
I
V
0
R
0
T
C = 25°C unless otherwise stated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA60WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA60WH1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA61H1200ED 功能描述:IGBT 模塊 IGBT XPT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA80R1200VA 功能描述:IGBT 模塊 Boost/Brake Module XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA80W1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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