參數(shù)資料
型號(hào): MGP15N35CLG
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 15 A, 380 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝: CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 10/10頁(yè)
文件大?。?/td> 250K
代理商: MGP15N35CLG
MGP15N35CL, MGB15N35CL
http://onsemi.com
9
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 9:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TO220 THREELEAD
TO220AB
CASE 221A09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.570
0.620
14.48
15.75
B
0.380
0.405
9.66
10.28
C
0.160
0.190
4.07
4.82
D
0.025
0.035
0.64
0.88
F
0.142
0.147
3.61
3.73
G
0.095
0.105
2.42
2.66
H
0.110
0.155
2.80
3.93
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.15
1.52
N
0.190
0.210
4.83
5.33
Q
0.100
0.120
2.54
3.04
R
0.080
0.110
2.04
2.79
S
0.045
0.055
1.15
1.39
T
0.235
0.255
5.97
6.47
U
0.000
0.050
0.00
1.27
V
0.045
1.15
Z
0.080
2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
12 3
4
D
SEATING
PLANE
T
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGB15N38CLT4 15 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT
MGC15N43CL 15 A, 460 V, N-CHANNEL IGBT
MGDT100100 PULSE TRANSFORMER FOR MOSFET GATE DRIVE APPLICATION(S)
MGF0805A S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET
MGF0846G S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGP15N38CL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Internally Clamped N-Channel IGBT
MGP15N40CL 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
MGP15N40CL_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK
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