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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV004T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓為512k × 8位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 31/47頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | MBM29LV004T |
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31
MBM29LV004T/MBM29LV004B
t
CH
t
CS
t
WP
t
WHWH1
t
WC
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
GHWL
t
CE
t
OE
t
WPH
t
DS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
D
OUT
WE
5555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
AS
t
AH
Figure 7 Alternate WE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3.
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
DQ
7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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