參數(shù)資料
型號： MBM29LV004T
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器)
中文描述： 的CMOS 4分（為512k × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓為512k × 8位閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 26/47頁
文件大小： 358K
代理商： MBM29LV004T
26
MBM29LV004T/MBM29LV004B
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
(Continued)
Parameter Symbols
Description
-10
-12
-15
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes
: C
L
= 30 pF including jig capacitance (MBM29LV008T-10, B-10)
C
L
= 100 pF including jig capacitance (MBM29LV008T-12, -15/B-12, -15)
Figure 4 Test Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV004 CMOS 4M SON Packages Flash Memory(CMOS 4M小外形封裝閃速存儲器)
MBM29LV080 CMOS 8M SON Packages Flash Memory(CMOS 8M小外形封裝閃存)
MBM29LV400 CMOS 4M SON Packages Flash Memory(CMOS 4M小外形封裝閃存)
MBM29LV800 CMOS 8M SON Packages Flash Memory(CMOS 8M小外形封裝閃存)
MBM29LV002 CMOS 2 M SON Packages Flash Memory(CMOS 2M 小外形封裝閃速存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV004T-12PNS-X-EE 制造商:FUJITSU 功能描述:
MBM29LV004T12PNSXR 制造商:FUJITSU 功能描述:
MBM29LV004TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT
MBM29LV004TC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT
MBM29LV004TC-12PNS 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT
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