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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV004T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓為512k × 8位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 27/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 358K |
| 代理商： | MBM29LV004T |
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27
MBM29LV004T/MBM29LV004B
(Continued)
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. These timings are for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
-10
-12
-15
Unit
JEDEC
Standard
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
50
50
65
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
30
30
35
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
1
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μ
s
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
10
10
10
μ
s
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
0
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
50
50
50
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Min.
90
90
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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