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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81V4400C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬的CMOS × 4位快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬× 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | MB81V4400C-60 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)當(dāng)前第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)
7
MB81V4400C-60/MB81V4400C-70
I
AC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 3, 4, 5
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V4400C-60
Min.
—
110
150
MB81V4400C-70
Min.
—
125
170
Unit
Max.
16.4
—
—
Max.
16.4
—
—
1
2
3
Time Between Refresh
Random Read/Write Cycle Time
Read-Modify-Write Cycle Time
t
REF
t
RC
t
RWC
ms
ns
ns
4
Access Time from RAS
t
RAC
—
60
—
70
ns
5
Access Time from CAS
t
CAC
—
15
—
20
ns
6
Column Address Access Time
t
AA
—
30
—
35
ns
7
8
Output Hold Time
Output Buffer Turn On Delay Time
t
OH
t
ON
0
0
—
—
0
0
—
—
ns
ns
9
Output Buffer Turn off Delay Time
t
OFF
—
15
—
15
ns
10
11
12
13
14
Transition Time
RAS Precharge Time
RAS Pulse Width
RAS Hold Time
CAS to RAS Precharge Time
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CRP
2
40
60
15
0
50
—
2
45
70
20
0
50
—
ns
ns
ns
ns
ns
100000
—
—
100000
—
—
15
RAS to CAS Delay Time
t
RCD
20
45
20
50
ns
16
17
CAS Pulse Width
CAS Hold Time
t
CAS
t
CSH
15
60
10000
—
20
70
10000
—
ns
ns
18
CAS Precharge Time (Normal)
t
CPN
10
—
10
—
ns
19
20
21
22
Row Address Set Up Time
Row Address Hold Time
Column Address Set Up Time
Column Address Hold Time
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
0
10
0
12
—
—
—
—
0
10
0
12
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
23
RAS to Column Address Delay Time
t
RAD
15
30
15
35
ns
24
25
26
Column Address to RAS Lead Time
Column Address to CAS Lead Time
Read Command Set Up Time
Read Command Hold Time
Referenced to RAS
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
t
RAL
t
CAL
t
RCS
30
30
0
—
—
—
35
35
0
—
—
—
ns
ns
ns
27
t
RRH
0
—
0
—
ns
28
t
RCH
0
—
0
—
ns
29
Write Command Set Up Time
t
WCS
0
—
0
—
ns
30
31
32
33
Write Command Hold Time
WE Pulse Width
Write Command to RAS Lead Time
Write Command to CAS Lead Time
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
10
10
15
15
—
—
—
—
10
10
18
18
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
6, 9
7, 9
8, 9
10
11, 12
19
13
14
14
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81V4400C-70 | CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4405C-60 | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB820 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8210 | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| MB82101BAN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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