參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V4400C-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 100萬(wàn)的CMOS × 4位快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬(wàn)× 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 17/26頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： MB81V4400C-60
17
MB81V4400C-60/MB81V4400C-70
COL
ADD
ROW
ADD.
COL
ADD
COL
ADD
VALID
VALID
VALID
HIGH-Z
t
DZO
Fig. 11 – FAST PAGE MODE OE WRITE CYCLE
“H” or “L”
Invalid Data
DESCRIPTION
The fast page mode OE (delayed) write cycle is executed in the same manner as the fast page mode write cycle except for the states
of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the fast page mode
delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
9
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
t
RASP
t
RAD
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CAS
t
PC
t
CP
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
OEH
t
RAH
t
ASR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
t
RWL
t
RCD
t
DZC
t
RCS
t
CAH
t
ASC
t
RAL
t
OED
t
CWL
t
OEA
t
DS
t
CWL
t
WP
t
DH
t
DH
t
WP
t
WP
t
DS
t
DH
t
OEH
t
OEZ
t
AA
t
CAC
t
DS
t
OED
t
AA
t
OED
t
CAC
t
OEH
t
OEZ
t
OEA
t
OEZ
t
OEA
t
RAC
t
CAC
t
AA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V4400C-70 CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4405C-60 CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4405C-70 CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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MB81V4800S-70 CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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