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參數(shù)資料
| 型號： | MB8118160A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 16位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 18/26頁 |
| 文件大小： | 494K |
| 代理商： | MB8118160A-60 |
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18
MB8118160A-60/MB8118160A-70
DESCRIPTION
The fast page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the fast page mode early write cycle except for the
states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the fast page
mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
t
OED
t
WP
t
ASC
Fig. 11 – FAST PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
“H” or “L”
HIGH-Z
t
RASP
t
RP
t
PC
ROW
ADD
Invalid Data
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
AR
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
COL
ADD
COL
ADD
VALID
t
RWL
t
WCH
t
WP
t
CWL
t
WCH
t
RCS
t
DZC
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
OED
t
ON
t
ON
t
OEH
t
ON
t
DZO
t
OEZ
t
ON
t
OEZ
t
OEH
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
VALID
t
CP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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