參數(shù)資料
型號(hào)： MB8117805B-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 200萬(wàn)× 8位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（200萬(wàn)× 8位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 23/29頁(yè)
文件大?。?/td> 574K
代理商： MB8117805B-60
23
MB8117805B-50/-60
CAS
Fig. 15 – HYPER PAGE MODE READ-MODIFY-WRITE CYCLE
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
DQ
(Output)
OE
DESCRIPTION
During the hyper page mode of operation, the read-modify-write cycle can be executed by switching WE from High to Low after
input data appears at the DQ pins during a normal cycle.
HIGH-Z
t
RASP
t
RP
t
CRP
COL
ADD
COL
ADD
t
CPWD
ROW
ADD
VALID
VALID
t
RCD
t
CWD
t
RWL
t
HPRWC
t
CWD
t
CP
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
RAD
t
RAH
t
ASR
t
RCS
t
AWD
t
CWL
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
WP
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
RWD
t
DZC
t
OED
t
CAC
t
AA
t
ON
t
ON
t
AA
t
CAC
t
OED
t
ON
t
ON
t
RAC
t
DZO
t
OEA
t
CPA
t
OEH
t
OEZ
t
OEA
t
OEH
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
Valid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition
(Address and DQ)
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