參數(shù)資料
型號: MB8117805B-60
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS(200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 16/29頁
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代理商: MB8117805B-60
16
MB8117805B-50/-60
CAS
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
RAS
WE
A
0
to A
10
DQ
(Output)
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
t
RWC
t
RAS
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
CAH
t
RWL
t
RCS
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
t
RAD
t
CWD
t
WP
t
OEZ
t
OH
t
RWD
t
AWD
t
DZC
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
ON
t
ON
t
OEA
HIGH-Z
VALID
DATA
VALID DATA IN
HIGH-Z
HIGH-Z
COL
ADD
ROW
ADD
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
“L” or “L”
“H” transition
(Address and DQ)
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