參數(shù)資料
型號: MB8117405A-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 4米× 4位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS(4米× 4位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 7/28頁
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代理商: MB8117405A-70
7
MB8117405A-60/MB8117405A-70
I
DC CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Conditions
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
Output high voltage
V
OH
I
OH
= –5 mA
2.4
V
Output low voltage
V
OL
I
OL
= 4.2 mA
0.4
Input leakage current (any input)
I
I(L)
0 V
V
IN
5.5 V;
4.5 V
V
CC
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
under test = 0 V
0 V
V
OUT
5.5 V;
Data out disabled
–10
10
μ
A
Output leakage current
I
O(L)
–10
10
Operating current
(Average power
supply current)
MB8117405A-60
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min.
mA
MB8117405A-70
Standby current
(Power supply
current)
TTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
mA
CMOS level
RAS = CAS
V
CC
–0.2 V
Refresh current#1
(Average power
supply current)
MB8117405A-60
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
HPC
= min.
mA
MB8117405A-70
Hyper Page Mode
current
MB8117405A-60
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS cycling;
t
HPC
= min.
mA
MB8117405A-70
Refresh current#2
(Average power
supply current)
MB8117405A-60
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min.
mA
MB8117405A-70
1
1
2
105
90
2.0
1.0
2
105
90
2
105
90
2
105
90
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PDF描述
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參數(shù)描述
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