參數(shù)資料
型號(hào): MB8117405A-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 4米× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS(4米× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 13/28頁(yè)
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代理商: MB8117405A-70
13
MB8117405A-60/MB8117405A-70
ROW
ADD
VALID
DATA IN
COLUMN
ADD
HIGH-Z
CAS
“H” or “L”
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be implemented
in either of three ways–early write, OE write (delayed write), or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
,
t
CWL
and t
RAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pin is latched with the falling
edge of CAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
AR
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
t
RAD
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PDF描述
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