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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8117405A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（4米× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/28頁(yè) |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | MB8117405A-70 |
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14
MB8117405A-60/MB8117405A-70
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
“H” or “L”
Invalid Data
DESCRIPTION
In the OE (delayed write) cycle, t
WCS
is not satisfied ; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and
written into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
DS
).
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE (OE Control)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
RC
t
RAS
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
RCD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DZC
t
OED
t
ON
t
DZO
t
ON
t
OEZ
t
OEH
t
AR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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