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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V64S20ATP-10L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64M號（4銀行甲4194304字× 4位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1097K |
| 代理商： | M5M4V64S20ATP-10L |
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M5M4V64S20ATP-8, -10, -12
Jan'97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.0.2)
COMMAND TRUTH TABLE
H=High Level, L=Low Level, V=Valid, X=Don't Care, n=CLK cycle number
NOTE:
1. A7-A9 =0, A0-A6 =Mode Address
COMMAND
MNEMONIC
CKE
n-1
CKE
n
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA0,1
A11
A10
A0-9
Deselect
DESEL
H
X
H
X
X
X
X
X
X
X
No Operation
NOP
H
X
L
H
H
H
X
X
X
X
Row Address Entry &
Bank Activate
ACT
H
X
L
L
H
H
V
V
V
V
Single Bank Precharge
PRE
H
X
L
L
H
L
V
X
L
X
Precharge All Banks
PREA
H
X
L
L
H
L
X
H
X
Column Address Entry
& Write
WRITE
H
X
L
H
L
L
V
X
L
V
Column Address Entry
& Write with Auto-
Precharge
Column Address Entry
& Read
WRITEA
H
X
L
H
L
L
V
X
H
V
READ
H
X
L
H
L
H
V
X
L
V
Column Address Entry
& Read with Auto-
Precharge
READA
H
X
L
H
L
H
V
X
H
V
Auto-Refresh
REFA
H
H
L
L
L
H
X
X
X
X
Self-Refresh Entry
REFS
H
L
L
L
L
H
X
X
X
X
Self-Refresh Exit
REFSX
L
L
H
H
H
L
X
H
X
H
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
Burst Terminate
TERM
H
X
L
H
H
L
X
X
X
X
Mode Register Set
MRS
H
X
L
L
L
L
L
L
L
V*1
5
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V64S20ATP-12 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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| M5M4V64S20ATP-8A | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M5M4V64S20ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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