參數(shù)資料
型號： M59BW10225N1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
中文描述： 1兆位64Kb的x16插槽，突發(fā)低電壓快閃記憶體
文件頁數(shù)： 16/24頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： M59BW10225N1T
M59BW102
16/24
Figure 12. Suspend and Resume Linear Cycle Waveforms with Bus Idle
AI03248
ALE
E
G
A0-A15
DQ0-DQ15
tEHALH
tALLEL
tGHEH
Odd
Even
Odd
Even
Fetch
Idle
Fetch
Idle
Fetch
Idle
Table 17. Suspend and Resume Last Linear Cycle Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C)
Symbol
Alt
Parameter
M59BW102
Unit
25
V
CC
= 3.0V to 3.6V
Min
Max
t
ALLEL
Address Latch Enable Low to Chip Enable Low
15
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59BW102N 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59DR008 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; No. of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100N6T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; Number of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100ZB1T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M59BW102N 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59DR008 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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