參數(shù)資料
型號(hào)： M59BW10225N1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
中文描述： 1兆位64Kb的x16插槽，突發(fā)低電壓快閃記憶體
文件頁數(shù)： 12/24頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： M59BW10225N1T
M59BW102
12/24
Figure 7. Sequential Cycle Waveforms
Figure 8. Random Mode Waveforms
AI02767B
ALE
E
G
A0-A15
DQ0-DQ15
tCYCLE
tEHQZ
tGHEL
tGHGL
tELQV
tALHQZ
tGHALH
tGHQV
tGHEH
tGLGH
tEHQV
tEHALH
AI02768B
ALE
E
G
tELQV
A0-A15
DQ0-DQ15
tALLGL
tEHQZ
tGHGL
tAXALL
tELALL
tQVGH
tALHQZ
tGHALH
tALHALL
tGLQV
tGHEL
tGHEH
tEHALH
tEHQV
tGLGH
tALLAX
tELGL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59BW102N 1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59DR008 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; No. of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100N6T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; Number of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100ZB1T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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參數(shù)描述
M59BW102N 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59DR008 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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