參數(shù)資料
型號(hào)： M58WR064EB85ZB6T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56
封裝： 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
文件頁數(shù)： 81/81頁
文件大?。?/td> 539K
代理商： M58WR064EB85ZB6T
9/81
M58WR064ET, M58WR064EB
Figure 4. Memory Map
AI06971
M58WR064ET - Top Boot Block
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M58WR064EB - Bottom Boot Block
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Blocks
8 Main
Blocks
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Blocks
8 Parameter
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8 Main
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58WR064KU70ZA6U 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44
M5L28FGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L13TCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L14FCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L15TGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58WR064EBZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET10ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET70ZB6T 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58WR064ET80ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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