參數(shù)資料
型號(hào)： M58WR064EB85ZB6T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56
封裝： 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
文件頁數(shù)： 36/81頁
文件大?。?/td> 539K
代理商： M58WR064EB85ZB6T
41/81
M58WR064ET, M58WR064EB
Figure 11. Asynchronous Page Read AC Waveforms
AI06164
A2-A21
E
G
A0-A1
VALID
ADDRESS
L
DQ0-DQ15
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
tLHAX
tAVLH
tLLQV
tAVQV1
tGLQX
tLLLH
tELLH
WAIT
tAVAV
tELQV
tELQX
tELTV
tGLQV
(1)
Note
1.
WAIT
is
active
Low.
Valid
Address
Latch
Outputs
Enabled
Valid
Data
Standby
tLHGL
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58WR064KU70ZA6U 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44
M5L28FGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L13TCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L14FCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L15TGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58WR064EBZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET10ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET70ZB6T 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58WR064ET80ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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