- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359082 > M58LW064BT (意法半導(dǎo)體) 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064BT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位x16和x16/x32，塊擦除低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/53頁 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | M58LW064BT |
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M58LW064A, M58LW064B
Figure 16. Synchronous Burst Read - Burst Address Advance
AI03697
K
(1) Valid clock edge ’9’ is valid and outputs
Q0.
(2) B goes low before valid clock edge ’10’ and output increments to
Q1.
(3) B goes high before valid clock edge ’12’ and output remainsQ1.
14
13
12
11
10
9
OUTPUTS
Q0
Q1
(1)
tBLKH
tBHKH
(2)
(3)
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064C | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110N1T | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064BZA | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150NH6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150NH6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW064BZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110N6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064C110N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
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