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參數(shù)資料
| 型號： | M312L1713ETS-CAA |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| 封裝： | DIMM-184 |
| 文件頁數(shù)： | 2/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 336K |
| 代理商： | M312L1713ETS-CAA |
DDR SDRAM
128MB, 256MB Registered DIMM
Rev. 1.2 August. 2003
DDR SDRAM IDD spec table
M383(12)L3310ETS [ (32M x 4) * 18 , 256MB Module ]
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
* B3 : M312L3310ETS only
Symbol
AA, A2 (DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
A0(DDR200@CL=2))
Unit
Notes
IDD0
2,350
2,260
mA
IDD1
2,710
2,620
mA
IDD2P
1,060
mA
IDD2F
1,330
1,300
mA
IDD2Q
1,260
1,240
mA
IDD3P
1,360
1,330
mA
IDD3N
1,630
1,580
mA
IDD4R
2,890
2,800
mA
IDD4W
3,160
2,800
mA
IDD5
3,700
3,520
mA
IDD6
Normal
1,040
mA
Low power
1,020
mA
Optional
IDD7A
5,320
4,780
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L5720BZ0-CB3 | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| M312L5720DZ3-CB3 | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| M32002AMMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
| M32016BGPJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT |
| M32026AUMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M312L2828ET0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2828ET0-CB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512MDDRSTK_SMDDR SDRAM MODULX72TSOP2-400 - Bulk |
| M312L2920BG0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-A2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-B0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
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