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參數(shù)資料
| 型號： | M312L1713ETS-CAA |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| 封裝： | DIMM-184 |
| 文件頁數(shù)： | 10/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 336K |
| 代理商： | M312L1713ETS-CAA |
DDR SDRAM
128MB, 256MB Registered DIMM
Rev. 1.2 August. 2003
Tolerances : ± 0.005(.13) unless otherwise specified.
The used device is 16Mx8 DDR SDRAM, TSOPII.
DDR SDRAM Part No : K4H280838E
Physical Dimensions : 16M x 72 (M383L1713ETS)
Units : Inches (Millimeters)
A
B
REG
PLL
REG
A
B
5.25 ± 0.005
5.171
(131.350)
(133.350 ± 0.13)
(43.
33
)
1.
7
5.077
(128.950)
0.
3
93
(10
.00)
0.
10
0
Mi
n
(2.30
Min)
(19.80)
0.78
(1
7.
80)
0.
7
2.500
0.10 M
CB A
0.050
0.0078 ±0.006
(0.20 ±0.15)
(1.270)
0.
10
0
(2.50
)
Detail B
0.250
(6.350)
Detail A
0.157
(4.00)
0.071
(1.80)
0.039 ± 0.002
(1.000 ± 0.050)
(3.80)
2.175
(6.62)
0.26
0.10 M C
B
A
0.1496
(3.00)
0.118
R (2.00)
0.0787
(4.00)
0.1575
M
0.157 Max
0.050 ± 0.0039
(1.270 ± 0.10)
(3.99 Max)
(4.24)
(0
.1
67)
(3.00)
0.118
R (2.00)
0.0787
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L5720BZ0-CB3 | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| M312L5720DZ3-CB3 | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| M32002AMMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
| M32016BGPJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT |
| M32026AUMJFREQ | VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M312L2920BG0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-A2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L2920BG0-B0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
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