參數(shù)資料
型號(hào)： M30L0R8000T0ZAQ
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 256兆位（16Mb的x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 31/83頁(yè)
文件大小： 1363K
代理商： M30L0R8000T0ZAQ
31/83
M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
Figure 6. X-Latency and Data Output Configuration Example
Note: 1. The settings shown are X-latency = 4, Data Output held for one clock cycle.
Ai11050
A23-A0
VALID ADDRESS
K
L
DQ15-DQ0
VALID DATA
X-latency
VALID DATA
tK
tQVK_CPU
tKQV
1st cycle
2nd cycle
3rd cycle
4th cycle
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M30L0R8000T0ZAQF 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQT 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQE AB 35C 7#12,28#16 PIN RECP
M30L0R8000B0ZAQE 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0ZAQF CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK S-MIL-C-39014
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M30L0R8000T0ZAQE 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQF 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L40C 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
M30L40C-E3/4W 功能描述:肖特基二極管與整流器 40 Volt 30 Amp Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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