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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R8000B0 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 256兆位（16Mb的x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 58/83頁 |
| 文件大小： | 1363K |
| 代理商： | M30L0R8000B0 |
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M30L0R8000T0, M30L0R8000B0
58/83
Table 30. M30L0R8000T0 - Parameter Bank
Block Addresses
Block
Number
(KWords)
Table 31. M30L0R8000T0 - Main Bank Base
Addresses
Bank
Number
Numbers
Table 32. M30L0R8000T0 - Block Addresses in
Main Banks
Note: There are two Bank Regions: Bank Region 1 contains all the
banks that are made up of main blocks only; Bank Region 2
contains the banks that are made up of the parameter and
main blocks (Parameter Bank).
Size
Address Range
0
16
FFC000-FFFFFF
1
16
FF8000-FFBFFF
2
16
FF4000-FF7FFF
3
16
FF0000-FF3FFF
4
64
FE0000-FEFFFF
5
64
FD0000-FDFFFF
6
64
FC0000-FCFFFF
7
64
FB0000-FBFFFF
8
64
FA0000-FAFFFF
9
64
F90000-F9FFFF
10
64
F80000-F8FFFF
11
64
F70000-F7FFFF
12
64
F60000-F6FFFF
13
64
F50000-F5FFFF
14
64
F40000-F4FFFF
15
64
F30000-F3FFFF
16
64
F20000-F2FFFF
17
64
F10000-F1FFFF
18
64
F00000-F0FFFF
Block
Bank Base Address
1
19-34
E00000
2
35-50
D00000
3
51-66
C00000
4
67-82
B00000
5
83-98
A00000
6
99-114
900000
7
115-130
800000
8
131-146
700000
9
147-162
600000
10
163-178
500000
11
179-194
400000
12
195-210
300000
13
211-226
200000
14
227-242
100000
15
243-258
000000
Block Number
Offset
Block Base Address Offset
0
0F0000
1
0E0000
2
0D0000
3
0C0000
4
0B0000
5
0A0000
6
090000
7
080000
8
070000
9
060000
10
050000
11
040000
12
030000
13
020000
14
010000
15
000000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M30L0R8000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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