參數(shù)資料
型號： M30L0R7000T0ZAQT
廠商： 意法半導體
英文描述： CAP 0.22UF 50V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014
中文描述： 128兆位（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)），1.8V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 43/83頁
文件大小： 1329K
代理商： M30L0R7000T0ZAQT
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M30L0R7000T0, M30L0R7000B0
Figure 12. Synchronous Burst Read AC Waveforms
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M30L0R7000B0ZAQT CAP 0.047UF 100V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014
M30L0R8000T0ZAQ 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQF 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQT 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQE AB 35C 7#12,28#16 PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M30L0R7000XX 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0ZAQ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0ZAQE 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0ZAQF 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
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