- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359054 > M30L0R7000B0 (意法半導(dǎo)體) 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R7000B0 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)），1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 34/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1329K |
| 代理商： | M30L0R7000B0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當(dāng)前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁
M30L0R7000T0, M30L0R7000B0
34/83
Table 14. Lock Status
Note: 1. The lock status is defined by the write protect pin and by DQ1 (‘1’ for a locked-down block) and DQ0 (‘1’ for a locked block) as read
in the Read Electronic Signature command with A1 = V
IH
and A0 = V
IL
.
2. All blocks are locked at power-up, so the default configuration is 001 or 101 according to WP status.
3. A WP transition to V
IH
on a locked block will restore the previous DQ0 value, giving a 111 or 110.
Current
Protection Status
(1)
(WP, DQ1, DQ0)
Next Protection Status
(1)
(WP, DQ1, DQ0)
Current State
Program/Erase
Allowed
After
Block Lock
Command
After
Block Unlock
Command
After Block
Lock-Down
Command
After
WP transition
1,0,0
yes
1,0,1
1,0,0
1,1,1
0,0,0
1,0,1
(2)
no
1,0,1
1,0,0
1,1,1
0,0,1
1,1,0
yes
1,1,1
1,1,0
1,1,1
0,1,1
1,1,1
no
1,1,1
1,1,0
1,1,1
0,1,1
0,0,0
yes
0,0,1
0,0,0
0,1,1
1,0,0
0,0,1
(2)
no
0,0,1
0,0,0
0,1,1
1,0,1
0,1,1
no
0,1,1
0,1,1
0,1,1
1,1,1 or 1,1,0
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R7000B0ZAQ | 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000B0ZAQE | 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000B0ZAQF | 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000T0ZAQE | AB 35C 7#12,28#16 PIN RECP |
| M30L0R7000T0ZAQF | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R7000B0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000B0ZAQE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000B0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000B0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000T0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。