- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370828 > M2V56S30TP-8 (Mitsubishi Electric Corporation) 256M Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S30TP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | M2V56S30TP-8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
6
COMMAND TRUTH TABLE
NOTE:
1. A7-9,11-12=L, A0-A6 =Mode Address
H=High Level, L=Low Level, V=Valid, X=Don't Care, n=CLK cycle number
COMMAND
MNEMONIC
CKE
n-1
CKE
n
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA0,1
A10
/AP
A0-9,
11-12
Deselect
DESEL
H
X
H
X
X
X
X
X
X
No Operation
NOP
H
X
L
H
H
H
X
X
X
Row Address Entry &
Bank Activate
ACT
H
X
L
L
H
H
V
V
V
Single Bank Precharge
PRE
H
X
L
L
H
L
V
L
X
Precharge All Banks
PREA
H
X
L
L
H
L
H
X
Column Address Entry
& Write
WRITE
H
X
L
H
L
L
V
L
V
Column Address Entry
& Write with
Auto-Precharge
WRITEA
H
X
L
H
L
L
V
H
V
Column Address Entry
& Read
READ
H
X
L
H
L
H
V
L
V
Column Address Entry
& Read with
Auto-Precharge
READA
H
X
L
H
L
H
V
H
V
Auto-Refresh
REFA
H
H
L
L
L
H
X
X
X
Self-Refresh Entry
REFS
H
L
L
L
L
H
X
X
X
Self-Refresh Exit
REFSX
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
H
L
H
H
H
X
X
X
Burst Terminate
TBST
H
X
L
H
H
L
X
X
X
Mode Register Set
MRS
H
X
L
L
L
L
L
L
V
X
note
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S40TP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S40AKT | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40AKT-5 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40AKT-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40AKT-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。