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參數(shù)資料
| 型號： | M25P40-VMN6TG/X |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 39/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1160K |
| 代理商： | M25P40-VMN6TG/X |
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DC and AC parameters
M25P40
44/57
Table 21.
AC characteristics (*40 MHz operation, device grade 6, VCC min = 2.3 V)
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
fC
Clock frequency for the following
instructions: FAST_READ, PP, SE, BE, DP,
RES, WREN, RDID, WRDI, RDSR, WRSR
D.C.
40
MHz
fR
Clock frequency for READ instructions
D.C.
25
MHz
tCH(1)
1. tCH + tCL must be greater than or equal to 1/ fC
tCLH
Clock High time
11
ns
tCL(1)
tCLL
Clock Low time
11
ns
tCLCH(2)
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
Clock Rise time(3) (peak to peak)
3. Expressed as a slew-rate.
0.1
V/ns
tCHCL(2)
Clock Fall time(3) (peak to peak)
0.1
V/ns
tSLCH
tCSS
S Active Setup time (relative to C)
5
ns
tCHSL
S Not Active Hold time (relative to C)
5
ns
tDVCH
tDSU
Data In Setup time
2
ns
tCHDX
tDH
Data In Hold time
5
ns
tCHSH
S Active Hold time (relative to C)
5
ns
tSHCH
S Not Active Setup time (relative to C)
5
ns
tSHSL
tCSH
S Deselect time
100
ns
tSHQZ(2)
tDIS
Output Disable time
8
ns
tCLQV
tV
Clock Low to Output Valid
8
ns
tCLQX
tHO
Output Hold time
0
ns
tHLCH
HOLD Setup time (relative to C)
5
ns
tCHHH
HOLD Hold time (relative to C)
5
ns
tHHCH
HOLD Setup time (relative to C)
5
ns
tCHHL
HOLD Hold time (relative to C)
5
ns
tHHQX(2)
tLZ
HOLD to Output Low-Z
8
ns
tHLQZ(2)
tHZ
HOLD to Output High-Z
8
ns
tWHSL(4)
4. Only applicable as a constraint for a WRSR instruction when SRWD is set at 1.
Note:
*40 MHz = max frequency device operation in extended Vcc range 2.3 to 2.7 V.
Write Protect Setup time
20
ns
tSHWL(4)
Write Protect Hold time
100
ns
S High to Deep Power-down mode
3
μs
tRES1(2)
S High to Standby Power mode without
Electronic Signature Read
30
μs
tRES2(2)
S High to Standby Power mode with
Electronic Signature Read
30
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40VMF6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6T | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40VMN6TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN6TP | 功能描述:閃存 SERIAL SECTOR ERASE FLASH 4MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25P40-VMN6TP/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMN6TP_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25P40-VMN6TPB | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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