- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄224123 > M25P40-VMN6TG/X (NUMONYX) 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M25P40-VMN6TG/X |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 35/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1160K |
| 代理商： | M25P40-VMN6TG/X |
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DC and AC parameters
M25P40
40/57
Table 15.
DC characteristics (device grade 3)
Symbol
Parameter
Test condition (in addition to
those in Table 10)
Min(1)
1. This is preliminary data.
Unit
ILI
Input leakage current
± 2
μA
ILO
Output leakage current
± 2
μA
ICC1
Standby current
S = VCC, VIN = VSS or VCC
100
μA
ICC2
Deep Power-down current
S = VCC, VIN = VSS or VCC
50
μA
ICC3
Operating current (READ)
C = 0.1VCC / 0.9.VCC at 25 MHz
and 75 MHz, Q = open
8mA
C = 0.1VCC / 0.9.VCC at 20 MHz
and 33 MHz, Q = open
4mA
ICC4
Operating current (PP)
S = VCC
15
mA
ICC5
Operating current (WRSR)
S = VCC
15
mA
ICC6
Operating current (SE)
S = VCC
15
mA
ICC7
Operating current (BE)
S = VCC
15
mA
VIL
Input low voltage
– 0.5
0.3VCC
V
VIH
Input high voltage
0.7VCC VCC+0.4
V
VOL
Output low voltage
IOL = 1.6 mA
0.4
V
VOH
Output high voltage
IOH = –100 μAVCC–0.2
V
Table 16.
Instruction times, process technology T9HX(1)
1. Technology T9HX devices are identified by process identification digit "4" in the device marking and
process letter "B" in the part number
.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
tW
Write Status Register cycle time
1.3
15
ms
tPP (2)
2. When using the Page Program (PP) instruction to program consecutive bytes, optimized timings are
obtained with one sequence including all the bytes versus several sequences of only a few bytes. (1
≤ n ≤
256)
Page Program cycle time (256 bytes)
0.8
5ms
Page Program cycle time (n bytes)
int (n/8) ×
0.025 (2)
tSE
Sector Erase cycle time
0.6
3
s
tBE
Bulk Erase cycle time
4.5
10
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40VMF6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6T | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40VMN6TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN6TP | 功能描述:閃存 SERIAL SECTOR ERASE FLASH 4MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25P40-VMN6TP/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMN6TP_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25P40-VMN6TPB | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應商設備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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