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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25P40-VMN6TG/X |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 37/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1160K |
| 代理商： | M25P40-VMN6TG/X |
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DC and AC parameters
M25P40
42/57
Table 19.
AC characteristics (25 MHz operation, device grade 3, VCC min = 2.7 V)
Identified with device belonging to X technology version; Test conditions specified in
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
fC
Clock frequency for the following
instructions: FAST_READ, PP, SE, BE, DP,
RES, WREN, WRDI, RDSR, WRSR
D.C.
25
MHz
fR
Clock frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
tCH(1)
1. tCH + tCL must be greater than or equal to 1/ fC
tCLH Clock High time
18
ns
tCL(1)
tCLL Clock Low time
18
ns
tCLCH(2)
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
Clock Rise time(3) (peak to peak)
3. Expressed as a slew-rate.
0.1
V/ns
tCHCL(2)
Clock Fall time(3) (peak to peak)
0.1
V/ns
tSLCH
tCSS S Active Setup time (relative to C)
10
ns
tCHSL
S Not Active Hold time (relative to C)
10
ns
tDVCH
tDSU Data In Setup time
5
ns
tCHDX
tDH
Data In Hold time
5
ns
tCHSH
S Active Hold time (relative to C)
10
ns
tSHCH
S Not Active Setup time (relative to C)
10
ns
tSHSL
tCSH S Deselect time
100
ns
tSHQZ(2)
tDIS Output Disable time
15
ns
tCLQV
tV
Clock Low to Output Valid
15
ns
tCLQX
tHO
Output Hold time
0
ns
tHLCH
HOLD Setup time (relative to C)
10
ns
tCHHH
HOLD Hold time (relative to C)
10
ns
tHHCH
HOLD Setup time (relative to C)
10
ns
tCHHL
HOLD Hold time (relative to C)
10
ns
tHHQX(2)
tLZ
HOLD to Output Low-Z
15
ns
tHLQZ(2)
tHZ
HOLD to Output High-Z
20
ns
tWHSL(4)
4. Only applicable as a constraint for a WRSR instruction when SRWD is set at 1.
Write Protect Setup time
20
ns
tSHWL(4)
Write Protect Hold time
100
ns
S High to Deep Power-down mode
3
μs
tRES1(2)
S High to Standby Power mode without
Electronic Signature Read
30
μs
tRES2(2)
S High to Standby Power mode with
Electronic Signature Read
30
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40VMF6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6T | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40VMF6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40VMN6TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN6TP | 功能描述:閃存 SERIAL SECTOR ERASE FLASH 4MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25P40-VMN6TP/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMN6TP_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25P40-VMN6TPB | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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