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參數(shù)資料
| 型號： | M13S256328A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 200萬× 32位× 4個銀行雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 807K |
| 代理商： | M13S256328A |
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ES MT
M13S256328A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision : 1.2 3/47
Pin Description
(M13S256328A)
Pin Name
Function
Pin Name
Function
A0~A11,
BA0,BA1
Address inputs
- Row address A0~A11
- Column address A0~A7, A9
A8/AP : AUTO Precharge
BA0, BA1 : Bank selects (4 Banks)
DM0~DM3
DQ Mask enable in write cycle.
DQ0~DQ31
Data-in/Data-out
CLK, CLK
Clock input
RAS
Row address strobe
CKE
Clock enable
CAS
Column address strobe
CS
Chip select
WE
V
SS
Write enable
V
DDQ
Supply Voltage for GDQ
Ground
V
SSQ
Ground for DQ
V
DD
Power
V
REF
Reference Voltage for SSTL
DQS0~DQS3
(for FBGA)
Bi- directional Data Strobe.
DQS0 correspond to the data on DQ0~DQ7.
DQS1 correspond to the data on DQ8~DQ15.
DQS2 correspond to the data on DQ16~DQ23.
DQS3 correspond to the data on DQ24~DQ31.
NC
No connection
Absolute Maximum Rating
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
V
IN
, V
OUT
-0.5 ~ 3.6
V
Voltage on V
DD
supply relative to V
SS
V
DD
, V
DDQ
-1.0 ~ 3.6
V
Voltage on V
DDQ
supply relative to V
SS
V
DDQ
-0.5 ~ 3.6
V
Storage temperature
T
STG
-55 ~ +150
C
°
Power dissipation
P
D
TBD
W
Short circuit current
I
OS
50
mA
Note : Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded.
Functional operation should be restricted to recommend operation condition.
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S32321A | 256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S256328A-5BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A-5L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A-6L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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