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參數(shù)資料
| 型號： | M12L32162A-7TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 18/29頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | M12L32162A-7TG |
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ES MT
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
Preliminary
M12L32162A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
0.3
18/29
*Note: 1.t
CDL
should be met to complete write.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L32162A-7TVG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32321A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32321A-5.5BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32321A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32321A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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