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參數(shù)資料
| 型號： | M12L2561616A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 31/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 908K |
| 代理商： | M12L2561616A-6TG |
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ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
31/44
Page Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4
Note : 1. To Write data before burst read ends. DQM should be asserted three cycle prior to write command to avoid bus
contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input , t
RDL
before row precharge , will be written.
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input
data after Row precharge cycle will be masked internally.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-7BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A-7BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A-7TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-6TG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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