參數(shù)資料
型號(hào)： M12L2561616A-6TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 19/44頁(yè)
文件大?。?/td> 908K
代理商： M12L2561616A-6TG
ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
19/44
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
*Note : 1. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge interrupt
but only another bank precharge of four banks operation.
CLK
i ) C M D
i i ) C M D
i i i ) C M D
i v) C M D
DQ M
DQ M
DQ M
DQ M
DQ
DQ
DQ
DQ
D1
D3
D1
D0
D2
D3
D0
D2
W R
(b) CL=3,BL= 4
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
D1
D3
D0
D2
Q0
*Not e 1
v) C M D
DQ M
DQ
R D
W R
H i - Z
R D
C LK
CMD
DQM
DQ
D1
W R
* N ot e 3
*
M a s k e d
b y
D Q M
D3
t
RDL(m in)
P RE
N o t e 2
D0
D2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12L2561616A-7BG 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L2561616A-7TG 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L32162A 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12L32162A-7BG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12L32162A-7TG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M12L2561616A-6TG2K 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply
M12L2561616A-6TIG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L2561616A-7BG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L2561616A-7BG2K 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply
M12L2561616A-7BIG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*