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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LRS1805A |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Stacked Chip 64M (x16) Flash Memory + 16M (x16) Smartcombo RAM |
| 中文描述： | 堆疊芯片64M號(hào)（x16）的閃存16M內(nèi)存（× 16）Smartcombo內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1373K |
| 代理商： | LRS1805A |
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LRS1805A
18
11. DC Electrical Characteristics
(1)
DC Electrical Characteristics
(T
A
= -25°C to +85°C, F-V
CC
= 2.7V to 3.3V, S-V
CC
= 2.7V to 3.1V)
Symbol
I
LI
I
LO
Parameter
Notes
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
Test Conditions
Input Load Current
±1.5
V
IN
= V
CC
or GND
V
OUT
= V
CC
or GND
F-V
CC
= F-V
CC
Max.,
F-CE = F-RST = F-V
CC
±0.2V,
F-WP = F-V
CC
or GND
F-V
CC
= F-V
CC
Max.,
F-CE = GND ±0.2V,
F-WP = F-V
CC
or GND
F-RST = GND ±0.2V
I
OUT
(F-RY/BY) = 0mA
Output Leakage Current
±1.5
I
CCS
F-V
CC
Standby Current
2
4
20
μ
A
I
CCAS
F-V
CC
Automatic Power Savings
Current
2,5
4
20
μ
A
I
CCD
F-V
CC
Reset Power-Down Current
2
4
20
μ
A
I
CCR
Average
Read Current
Normal Mode
F-V
CC
2,10
15
25
mA
F-V
CC
= F-V
CC
Max.,
F-CE = V
IL
, F-OE = V
IH
, f = 5MHz
I
OUT
= 0mA
Average
Read Current
Page Mode
F-V
CC
8 Word Read
2,10
5
10
mA
I
CCW
F-V
CC
(Page Buffer) Program Current
2,6,10
20
60
mA
F-V
PP
= V
PPH1
F-V
PP
= V
PPH2
F-V
PP
= V
PPH1
F-V
PP
= V
PPH2
2,6,10
10
20
mA
I
CCE
F-V
CC
Block Erase, Full Chip
Erase Current
2,6,10
10
30
mA
2,6,10
10
30
mA
I
CCWS
I
CCES
I
PPS
I
PPR
F-V
CC
(Page Buffer) Program or
Block Erase Suspend Current
2,3,10
10
200
μ
A
F-CE = V
IH
F-V
PP
Standby or Read Current
2,7,10
2
5
μ
A
F-V
PP
≤
F-V
CC
I
PPW
F-V
PP
(Page Buffer) Program Current
2,6,7,10
2
5
μ
A
F-V
PP
= V
PPH1
F-V
PP
= V
PPH2
F-V
PP
= V
PPH1
F-V
PP
= V
PPH2
F-V
PP
= V
PPH1
F-V
PP
= V
PPH2
F-V
PP
= V
PPH1
F-V
PP
= V
PPH2
2,6,7,10
10
30
mA
I
PPE
F-V
PP
Block Erase, Full Chip
Erase Current
2,6,7,10
2
5
μ
A
2,6,7,10
5
15
mA
I
PPWS
F-V
PP
(Page Buffer) Program
Suspend Current
2,7,10
2
5
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
2,7,10
10
200
I
PPES
F-V
PP
Block Erase Suspend Current
2,7,10
2
5
2,7,10
10
200
sharp
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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