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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LRS1331 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Stacked Chip 16M Flash Memory and 4M SRAM |
| 中文描述： | 堆疊1,600閃存芯片和4M的SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | LRS1331 |
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Stacked Chip (16M Flash & 4M SRAM)
LRS1331
Data Sheet
11
FLASH MEMORY AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
Read Cycle
T
A
= -25
°
C to +85
°
C, V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
NOTE:
*F-OE may be delayed up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of F-OE without impact on t
ELQV
.
PARAMETER
CONDITION
Input pulse level
Input rise and fall time
Input and Output timing reference level
Output load
0 V to 2.7 V
10 ns
1.35 V
1TTL + C
L
(50 pF)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Read Cycle Time
Address to Output Delay
F-CE to Output Delay*
F-RP HIGH to Output Delay
F-OE to Output Delay*
F-CE to Output in LOW Z
F-CE HIGH to Output in HIGH-Z
F-OE to Output in LOW Z
F-OE HIGH to Output in HIGH-Z
Output Hold from Address, F-CE or F-OE change,
whichever occurs first
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
90
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
90
600
40
0
40
0
15
t
OH
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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