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參數資料
| 型號： | LH28F320S3H-L |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術閃速存儲器) |
| 中文描述： | 32 M位（4字節(jié)× 8 / 2 MB的× 16）Smart3閃存（32兆位（4分位x 8/2M位× 16）Smart3技術閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 48/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | LH28F320S3H-L |
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LH28F320S3-L/S3H-L
- 48 -
V
PP
= 3.3±0.3 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.
V
PP
= 5.0±0.5 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.UNIT
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
t
WHQV1
t
EHQV1
t
WHQV1
t
EHQV1
Word/Byte Write Time
(using W/B write, in word mode)
Word/Byte Write Time
(using W/B write, in byte mode)
Word/Byte Write Time
(using multi word/byte write)
Block Write Time
(using W/B write, in word mode)
Block Write Time
(using W/B write, in byte mode)
Block Write Time
(using multi word/byte write)
2
21.75
TBD
12.95
TBD
μs
2
19.51
TBD
12.95
TBD
μs
2
5.66
TBD
2.7
TBD
μs
2
0.72
8.2
0.43
4.8
s
2
1.28
16.5
0.85
10.9
s
2
0.36
4.1
0.18
2
s
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Erase Time
2
0.55
10
0.41
10
s
Full Chip Erase Time
35.2
TBD
26.3
TBD
s
t
WHQV3
t
EHQV3
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHRH1
t
EHRH1
t
WHRH2
t
EHRH2
NOTES :
1.
Typical values measured at T
A
= +25C and nominal
voltages. Assumes corresponding block lock-bits are not
set. Subject to change based on device characterization.
2.
Excludes system-level overhead.
Set Block Lock-Bit Time
2
21.75
TBD
12.95
TBD
μs
Clear Block Lock-Bits Time
2
0.55
TBD
0.41
TBD
s
Write Suspend Latency Time to Read
7.1
10
6.6
9.3
μs
Erase Suspend Latency Time to Read
15.2
21.1
12.3
17.2
μs
3.
These performance numbers are valid for all speed
versions.
Sampled, not 100% tested.
4.
6.2.8 BLOCK ERASE, FULL CHIP ERASE, (MULTI) WORD/BYTE WRITE AND
BLOCK LOCK-BIT CONFIGURATION PERFORMANCE (contd.)
(NOTE 3, 4)
V
CC
= 3.3±0.3 V, T
A
= 0 to +70C or
–
40 to +85°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F320S3HNS-L11 | 32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3NS | Smart voltage 32Mbit Flash Memory |
| LH28F320S3TD-L10 | 32 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16 x 2-Bank) Smart 3 Dual Work Flash Memory |
| LH28F320S3 | 32M (4M x8/2M x16)Smart 3 Flash Memory(32M (4M x8/2M x16) Smart3 技術 閃速存儲器) |
| LH28F320S5H-L | 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LH28F320S3H-L11 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3H-L14 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3HNS-L11 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F320S3HNS-L14 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3HNS-ZM | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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