- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄358791 > LH28F320S3H-L (Sharp Corporation) 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術(shù)閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | LH28F320S3H-L |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術(shù)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 32 M位（4字節(jié)× 8 / 2 MB的× 16）Smart3閃存（32兆位（4分位x 8/2M位× 16）Smart3技術(shù)閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 37/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | LH28F320S3H-L |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當(dāng)前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁
PRELMNARY
Set Block Lock-Bit)
V
PP
Erase Current
I
PPE
(Block Erase, Full Chip Erase,
1, 7
Clear Block Lock-Bits)
I
PPWS
V
PP
Write or Block Erase
1
10
I
PPES
Suspend Current
LH28F320S3-L/S3H-L
- 37 -
6.2.3 DC CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
V
CC
= 2.7 to 3.6 V
V
CC
= 3.3±0.3 VUNIT
TYP.
MAX.
TYP.
TEST
MAX.
CONDITIONS
V
CC
= V
CC
Max.
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max.
V
= V
or GND
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = RP# = V
CC
±0.2 V
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = RP# = V
IH
RP# = GND±0.2 V
I
OUT
(STS) = 0 mA
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = GND
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = V
IL
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 3.3±0.3 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 3.3±0.3 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
I
LI
Input Load Current
1
±0.5
±0.5
μA
I
LO
Output Leakage Current
1
±0.5
±0.5
μA
20
100
20
100
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1, 3, 6
1
4
1
4
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-
LH28F320S3-L
Down Current
1
20
25
20
25
μA
LH28F320S3H-L
30
30
mA
I
CCR
V
CC
Read Current
1, 5, 6
35
35
mA
V
CC
Write Current
((Multi) W/B Write or
Set Block Lock-Bit)
V
CC
Erase Current
(Block Erase, Full Chip Erase,
Clear Block Lock-Bits)
I
CCWS
V
CC
Write or Block Erase
I
CCES
Suspend Current
I
PPS
V
PP
Standby Current
I
PPR
V
PP
Read Current
V
PP
Deep Power-Down
Current
V
PP
Write Current
I
PPW
((Multi) W/B Write or
17
17
17
17
17
17
—
—
17
17
—
17
17
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CCW
1, 7
—
I
CCE
1, 7
1, 2
1
6
1
6
mA
CE# = V
IH
1
1
±2
10
±15
200
±2
10
±15
200
μA
μA
V
PP
≤
V
CC
V
PP
> V
CC
I
PPD
1
0.1
5
0.1
5
μA
RP# = GND±0.2 V
80
80
80
40
40
40
—
—
80
80
—
40
40
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 3.3±0.3 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
V
PP
= 3.3±0.3 V
V
PP
= 5.0±0.5 V
1, 7
—
200
10
200
μA
V
PP
= V
PPH1/2/3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F320S3HNS-L11 | 32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3NS | Smart voltage 32Mbit Flash Memory |
| LH28F320S3TD-L10 | 32 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16 x 2-Bank) Smart 3 Dual Work Flash Memory |
| LH28F320S3 | 32M (4M x8/2M x16)Smart 3 Flash Memory(32M (4M x8/2M x16) Smart3 技術(shù) 閃速存儲器) |
| LH28F320S5H-L | 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F320S3H-L11 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3H-L14 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3HNS-L11 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F320S3HNS-L14 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F320S3HNS-ZM | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。