參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F320S3H-L
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 32 M-bit(4 MB x 8/2 MB x 16)Smart3 Flash Memories(32M位 (4M位 x 8/2M位 x 16) Smart3 技術(shù)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 32 M位（4字節(jié)× 8 / 2 MB的× 16）Smart3閃存（32兆位（4分位x 8/2M位× 16）Smart3技術(shù)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 47/51頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LH28F320S3H-L
set. Subject to change based on device characterization.
Excludes system-level overhead.
LH28F320S3-L/S3H-L
- 47 -
6.2.8 BLOCK ERASE, FULL CHIP ERASE, (MULTI) WORD/BYTE WRITE AND
BLOCK LOCK-BIT CONFIGURATION PERFORMANCE
(NOTE 3, 4)
V
CC
= 2.7 to 3.6 V, T
A
= 0 to +70C or
–
40 to +85°C
NOTES :
1.
Typical values measured at T
A
= +25C and nominal
voltages. Assumes corresponding block lock-bits are not
2.
3.
These performance numbers are valid for all speed
versions.
Sampled, not 100% tested.
4.
V
PP
= 2.7 to 3.6 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.
V
PP
= 3.3±0.3 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.
V
PP
= 5.0±0.5 V
MIN.
TYP.
(NOTE 1)
MAX.
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
UNIT
t
WHQV1
t
EHQV1
Word/Byte Write Time
(using W/B write,
in word mode)
Word/Byte Write Time
(using W/B write,
in byte mode)
Word/Byte Write Time
(using multi word/byte
write)
Block Write Time
(using W/B write,
in word mode)
Block Write Time
(using W/B write,
in byte mode)
Block Write Time
(using multi word/byte
write)
2
22.19
TBD
22.19
TBD
13.2
TBD
μs
t
WHQV1
t
EHQV1
2
19.9
TBD
19.9
TBD
13.2
TBD
μs
2
5.76
TBD
5.76
TBD
2.76
TBD
μs
2
0.73
8.2
0.73
8.2
0.44
4.8
s
2
1.31
16.5
1.31
16.5
0.87
10.9
s
2
0.37
4.1
0.37
4.1
0.18
2
s
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Erase Time
2
0.56
10
0.56
10
0.42
10
s
Full Chip Erase Time
Set Block Lock-Bit
Time
Clear Block Lock-Bits
Time
Write Suspend Latency
Time to Read
Erase Suspend Latency
Time to Read
35.9
TBD
35.9
TBD
26.9
TBD
s
t
WHQV3
t
EHQV3
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHRH1
t
EHRH1
t
WHRH2
t
EHRH2
2
22.17
TBD
22.17
TBD
13.2
TBD
μs
2
0.56
TBD
0.56
TBD
0.42
TBD
s
7.24
10.2
7.24
10.2
6.73
9.48
μs
15.5
21.5
15.5
21.5
12.54
17.54
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F320S3HNS-L11 32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3NS Smart voltage 32Mbit Flash Memory
LH28F320S3TD-L10 32 M-bit (2 MB x 8/1 MB x 16 x 2-Bank) Smart 3 Dual Work Flash Memory
LH28F320S3 32M (4M x8/2M x16)Smart 3 Flash Memory(32M (4M x8/2M x16) Smart3 技術(shù) 閃速存儲(chǔ)器)
LH28F320S5H-L 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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LH28F320S3H-L14 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
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LH28F320S3HNS-L14 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16)Smart 3 Flash MEMORY
LH28F320S3HNS-ZM 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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