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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F160S3NS-L13 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|SOP|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 1MX16/2MX8 |的CMOS |?？苵 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 39/56頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | LH28F160S3NS-L13 |
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LH28F160S5-L/S5H-L
- 39 -
SYMBOL
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
PARAMETER
NOTE
MIN.
70
MAX.
MIN.
80
MAX.
MIN.
100
MAX.
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE# to Output Delay
RP# High to Output Delay
OE# to Output Delay
CE# to Output in Low Z
CE# High to Output in High Z
OE# to Output in Low Z
OE# High to Output in High Z
Output Hold from Address,
CE# or OE# Change,
Whichever Occurs First
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
400
30
80
80
400
35
100
100
400
40
2
2
3
3
3
3
0
0
0
25
30
35
0
0
0
10
10
15
t
OH
3
0
0
0
ns
t
FLQV
t
FHQV
t
FLQZ
t
ELFL
t
ELFH
NOTES :
1.
See AC Input/Output Reference Waveform (
Fig. 12
and
Fig. 13
) for maximum allowable input slew rate.
2.
OE# may be delayed up to t
ELQV
-t
GLQV
after the falling
edge of CE# without impact on t
ELQV
.
3.
Sampled, not 100% tested.
4.
See
Fig. 12
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
" and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
" (High Speed Configuration) for testing
characteristics.
BYTE# to Output Delay
3
70
80
100
ns
BYTE# to Output in High Z
CE# Low to BYTE#
High or Low
3
25
30
30
ns
3
5
5
5
ns
VERSIONS
V
CC
±0.25 V
V
CC
±0.5 V
(NOTE 4)
LH28F160S5-L70
(NOTE 5)
LH28F160S5-L10
(NOTE 5)
LH28F160S5-L70
UNIT
V
CC
= 5.0±0.25 V, 5.0±0.5V, T
A
= 0 to +70°C
5.
See
Fig. 13
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
" and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
" (Standard Configuration) for testing
characteristics.
6.2.4 AC CHARACTERISTICS - READ-ONLY OPERATIONS
(NOTE1)
[LH28F160S5-L]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F160S3R-L10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F160S3R-L13 | EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC |
| LH28F320BFHE-PBTL70 | Flash ROM |
| LH28F320BFHE-PBTLZA | Flash ROM |
| LH28F320BFHE-PTTL60 | Flash ROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F160S3R-L10 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16-MBIT(2MBx8/1MBx16) Smart 3 Flash MEMORY |
| LH28F160S3R-L13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC |
| LH28F160S3T-L10 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16) |
| LH28F160S3T-L10A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 100NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F160S3T-L13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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