- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄358791 > LH28F160BHE-TTL90 (Sharp Corporation) 16M (x8/x16) Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | LH28F160BHE-TTL90 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16M (x8/x16) Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600（x8/x16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 40/46頁 |
| 文件大小： | 679K |
| 代理商： | LH28F160BHE-TTL90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁當前第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
RP#(P)
V
IL
t
PLPH
t
PLRZ
V
IH
V
IH
High Z
("1")
V
("0")
V
IL
t
PLPH
RY/BY#(R)
(SR.7)
RP#(P)
V
IL
t
2VPH
(C)RP# rising Timing
V
IH
2.7V
V
IL
RP#(P)
V
CC
(A)Reset During Read Array Mode
(B)Reset During Block Erase, Full Chip Erase, Word/Byte Write or Lock-Bit Configuration
High Z
("1")
V
("0")
RY/BY#(R)
(SR.7)
LHF16J04
38
Rev. 1.26
6.2.7 RESET OPERATIONS
Figure 18. AC Waveform for Reset Operation
Reset AC Specifications
Sym.
t
PLPH
Parameter
Notes
2
Min.
100
Max.
Unit
ns
RP# Pulse Low Time
RP# Low to Reset during Block Erase, Full Chip Erase,
Word/Byte Write or Lock-Bit Configuration
V
CC
2.7V to RP# High
t
PLRZ
1,2
30
μs
t
2VPH
NOTES:
1. If RP# is asserted while a block erase, full chip erase, word/byte write or lock-bit configuration operation is not executing,
the reset will complete within 100ns.
2. A reset time, t
PHQV
, is required from the later of RY/BY#(SR.7) going High Z("1") or RP# going high until outputs are
valid. Refer to AC Characteristics - Read-Only Operations for t
PHQV
.
3. When the device power-up, holding RP# low minimum 100ns is required after V
CC
has been in predefined range and also
has been in stable there.
2,3
100
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F160BJE-BTL90 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BJE-TTL70 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BJHE-BTL70 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BJHE-TTL90 | 16M-BIT ( 1Mbit x16 / 2Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(16M位( 1M位 x16 / 2M位 x8 )Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BVE-BTL90 | 16M-BIT(2Mbit x8/1Mbit x16)Boot Block Flash MEMORY(16M位(2M位x8/1M位 x16)Boot Block 閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F160BJB-BTL90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash ROM |
| LH28F160BJB-TTL90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash ROM |
| LH28F160BJB-TTLZS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash ROM |
| LH28F160BJE-BTL90 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F160BJE-TTL90 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。