參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F160BHE-TTL90
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 16M (x8/x16) Flash Memory
中文描述： 1,600（x8/x16）閃存
文件頁數(shù)： 31/46頁
文件大?。?/td> 679K
代理商： LH28F160BHE-TTL90
LHF16J04
29
Rev. 1.26
6.2.3 DC CHARACTERISTICS
DC Characteristics
V
CC
=2.7V-3.6V
Typ.
Test
Sym.
I
LI
Parameter
Notes
1
Max.
Unit
Conditions
Input Load Current
±0.5
μA
V
CC
=V
CC
Max.
V
IN
=V
CC
or GND
V
CC
=V
CC
Max.
V
OUT
=V
CC
or GND
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=RP#=V
CC
±0.2V
TTL Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=RP#=V
IH
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=GND±0.2V
RP#=GND±0.2V
I
OUT
(RY/BY#)=0mA
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max., CE#=GND
f=5MHz, I
OUT
=0mA
TTL Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max., CE#=GND
f=5MHz, I
OUT
=0mA
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
I
LO
Output Leakage Current
1
±0.5
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,3,6
2
15
μA
0.2
2
mA
I
CCAS
V
CC
Auto Power-Save Current
1,5,6
2
15
μA
I
CCD
V
CC
Reset Power-Down Current
1
2
15
μA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,6
15
25
mA
30
mA
I
CCW
V
CC
Word/Byte Write or Set Lock-
Bit Current
V
CC
Block Erase, Full Chip Erase or
Clear Block Lock-Bits Current
V
CC
Word/Byte Write or
Block Erase Suspend Current
V
CCW
Standby or Read Current
1,7
5
5
4
4
17
12
17
12
mA
mA
mA
mA
I
CCE
1,7
I
CCWS
I
CCES
I
CCWS
I
CCWR
I
CCWAS
1,2
1
6
mA
CE#=V
IH
1
±2
10
±15
200
μA
μA
V
CCW
≤
V
CC
V
CCW
>V
CC
CMOS Level Inputs
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=GND±0.2V
RP#=GND±0.2V
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
V
CCW
=2.7V-3.6V
V
CCW
=11.7V-12.3V
V
CCW
Auto Power-Save Current
1,5,6
0.1
5
μA
I
CCWD
I
CCWW
V
CCW
Reset Power-Down Current
V
CCW
Word/Byte Write or Set Lock-
Bit Current
V
CCW
Block Erase, Full Chip Erase
or Clear Block Lock-Bits Current
V
CCW
Word/Byte Write or
Block Erase Suspend Current
1
0.1
12
5
40
30
25
20
μA
mA
mA
mA
mA
1,7
I
CCWE
1,7
8
I
CCWWS
I
CCWES
1
10
200
μA
V
CCW
=V
CCWH1/2
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PDF描述
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LH28F160BJE-TTL90 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP
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