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參數(shù)資料
| 型號： | KM4232W259A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS Window RAM（1M Byte Dual Ported DRAM Array）(CMOS視窗RAM（1M字節(jié)的雙口動態(tài)RAM陣列）) |
| 中文描述： | 窗口的CMOS內存（1M字節(jié)雙端口內存陣列）（視窗的CMOS存儲器（100萬字節(jié)的雙口動態(tài)內存陣列）） |
| 文件頁數(shù)： | 9/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 836K |
| 代理商： | KM4232W259A |
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KM4232W259A
CMOS WINDOW RAM
Rev.0 (August 1997)
AC CHARACTERISTICS
(0
°
C T
A
70
°
C, V
CC
=5V
±
10%, see Notes 1 and 2)
Parameter
Symbol
-50ns
-60ns
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Access time from CAS
t
CAC
t
CPA
t
UPC
t
AA
t
OEA
t
RAC
t
SCA
t
SEA
t
T
t
RC
t
RAS
t
RASP
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
RP
t
RPC
t
CSH
t
CP
t
CAS
t
CSR
t
CHR
t
CLZ
t
CRP
t
RAH
t
ASR
t
CAH
t
ASC
t
RAL
t
DH
t
DS
t
MH
t
MS
t
PCRW
t
OFF
12
12
ns
3, 5, 6
Access time from CAS precharge
20
25
ns
3
Ultra Fast Page mode cycle time
15
20
ns
Access time from column address
22
27
ns
3, 9
Access time from output enable
12
12
ns
Access time from RAS
50
60
ns
3, 5, 9
Access time from SC
10
13
ns
4
Access time from SE
12
12
ns
4
Transition time(rise and fall)
2
30
2
30
ns
2, 12
Random read or write cycle time
90
110
ns
RAS pulse width
50
10K
60
10K
ns
RAS pulse width(Ultra Fast Page Mode)
50
100K
60
100K
ns
RAS to CAS delay time
20
38
25
48
ns
5
RAS to column address delay time
12
28
15
33
ns
9
RAS hold time
15
15
ns
RAS precharge time
35
40
ns
RAS precharge to CAS hold time
10
10
ns
CAS hold time
45
60
ns
CAS precharge time(Ultra Fast Page Mode)
5
8
ns
CAS pulse width
6
10K
8
10K
ns
CAS setup time(CBR refresh)
5
5
ns
CAS hold time(CBR refresh)
10
10
ns
CAS to output in Low-Z
5
5
ns
3, 10
CAS to RAS precharge time
5
5
ns
Row address hold time
6
8
ns
Row address setup time
0
0
ns
Column address hold time
0
0
ns
Column address setup time
7
8
ns
Column address to RAS lead time
22
30
ns
Data hold time
0
0
ns
Data setup time
7
8
ns
Write per bit mask data hold
8
8
ns
Write per bit mask data setup
0
0
ns
Read-Write cycle time
35
35
ns
Output buffer turn-off delay from CAS
3
7
3
7
ns
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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