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參數(shù)資料
| 型號： | KM4232W259A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS Window RAM（1M Byte Dual Ported DRAM Array）(CMOS視窗RAM（1M字節(jié)的雙口動態(tài)RAM陣列）) |
| 中文描述： | 窗口的CMOS內(nèi)存（1M字節(jié)雙端口內(nèi)存陣列）（視窗的CMOS存儲器（100萬字節(jié)的雙口動態(tài)內(nèi)存陣列）） |
| 文件頁數(shù)： | 8/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 836K |
| 代理商： | KM4232W259A |
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KM4232W259A
CMOS WINDOW RAM
Rev.0 (August 1997)
AC OPERATING CONDITIONS
(Voltage reference to V
SS
, T
A
= 0 to 70
°
C)
Parameter
Unit
AC input levels
V
IH
/V
IL
=3.0V/0.0V
Output measurement reference level
1.4V
Input rise and fall time
t
r
/
t
f
=2ns/2ns
CAPACITANCE
(V
CC
= 5V, T
A
= 25
°
C, f = 1MHz)
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
Input capacitance (A
0
~ A
8
)
C
IN1
3
6
pF
Input capacitance( RAS, CAS, BE
0-3
, OE, SE,
SC, DSF
0-2
)
C
IN2
3
6
pF
Input/Output Capacitance (W
0
/DQ
0
~ W
31
/DQ
31
)
C
DQ
3
7
pF
Output Capacitance (SQ
0
-
15
)
C
SQ
3
7
pF
INPUT/OUTPUT CURRENT
(Recommended operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Rating
Rating
Unit
Input Leakage Current(Any Input 0V
≤
V
IN
≤
6.5V,
all other pins not under test=0 volts).
I
IL
-10
10
uA
Output leakage Current(Data out is disabled,
0V
≤
V
OUT
≤
6.5V)
I
OL
-10
10
uA
Output High Voltage Level
(RAM I
OH
=-2mA, SAM I
OH
=-2mA)
V
OH
2.4
-
V
Output Low Voltage Level
(RAM I
OL
=2mA, SAM I
OL
=2mA)
V
OL
-
0.4
V
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參數(shù)描述 |
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