參數(shù)資料
型號(hào)： KM418RD32D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
中文描述： 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM
文件頁數(shù)： 58/64頁
文件大小： 4052K
代理商： KM418RD32D
Page 55
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
Absolute Maximum Ratings
I
DD
- Supply Current Profile
Table 23: Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
V
I,ABS
Voltage applied to any RSL or CMOS pin with respect to Gnd
- 0.3
V
DD
+0.3
V
V
DD,ABS
, V
DDA,ABS
Voltage on VDD and VDDA with respect to Gnd
- 0.5
V
DD
+1.0
V
T
STORE
Storage temperature
- 50
100
°
C
Table 24: Supply Current Profile
I
DD
value
RDRAM blocks consuming power
a
Max
-45
-800
Max
-45
-711
Max
-53.3
-600
Unit
I
DD,PDN
Self-refresh only for INIT.LSR=0
3000
3000
3000
μ
A
I
DD,NAP
T/RCLK-Nap
4
4
4
mA
I
DD,STBY
T/RCLK, ROW-demux
105
100
90
mA
I
DD,ATTN
T/RCLK, ROW-demux, COL-demux
165
155
140
mA
I
DD,ATTN-W
T/RCLK, ROW-demux,COL-demux,DQ-demux,1
WR-SenseAmp,
4
ACT-Bank
575/625
b
525/580
455/500
mA
I
DD,ATTN-R
T/RCLK, ROW-demux,COL-demux,DQ-mux,1
RD-SenseAmp,
4
ACT-Bank
c
490/520
450/480
400/420
mA
a. The CMOS interface consumes power in all power states.
b. x16/x18 RDRAM data width
c. This does not include the IOL sink current. The RDRAM dissipates IOL
VOL in each output driver when a logic one is driven.
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PDF描述
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KM416RD16AD CAP ELECT 47UF 100V TG SMD
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